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1. Identificação
Tipo de ReferênciaRelatório (Report)
Sitemtc-m21c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34R/432GUTS
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.06.13.25
Última Atualização2020:08.06.13.25.18 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.06.13.25.18
Última Atualização dos Metadados2022:07.08.21.07.47 (UTC) administrator
Chave de CitaçãoAraiFabb:1997:SiNuVi
TítuloSimulação numérica e visualização gráfica de crescimentos em macrocristais
Ano1997
Data de Acesso18 maio 2024
TipoRPQ
Número de Páginas14
Número de Arquivos1
Tamanho10817 KiB
2. Contextualização
Autor1 Arai, Nanci Naomi
2 Fabbri, Maurício
Grupo1
2 LAS-CTE-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de Taubaté (UNITAU)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
InstituiçãoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2020-08-06 13:25:18 :: simone -> administrator ::
2022-07-08 21:07:47 :: administrator -> simone :: 1997
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavemacrocristais
ResumoA obtenção de ligas semicondutoras de estrutura monocristalina em laboratório é um passo básico na obtenção de dispositivos optoeletrônicos. A faixa de sensibilidade desses dispositivos depende essencialmente da composição local e da distribuição composicional média da amostra utilizada na sua fabricação. Desse modo, amostras homogêneas permitem a utilização de substratos de maior área, ou a fabricação de mais dispositivos para cada monocristal obtido. Um dos processos de crescimento mais comum, no caso de semicondutores que envolvem ligas de chumbo ou mercúrio, é a solidificação direcionada. Nesta técnica, a mistura que forma a liga é solidificada lentamente, ao ser deslocada da região quente para a região fria no interior de um forno (método de Bridgman). Durante o crescimento, os efeitos de segregação são os responsáveis pela não homogeneidade em composição do cristal obtido. Estes efeitos são ditados, primordialmente, pelo diagrama de fase de equilíbrio da liga, e a composição final do cristal depende da interação entre as trocas de calor (condução, convecção e radiação), massa (difusão) e momento (convecção) durante o processo de crescimento. Em ambiente de microgravidade, os efeitos de convecção na fase líquida são bastante minimizados, e é então possível obter um regime de crescimento dominado pelos processos de condução e difusão. Ainda, em crescimentos lentos, em regime de quasi-equilíbrio, a amostra permanece essencialmente em equilibrio térmico com o forno. Dessa maneira, na quase totalidade dos crescimentos de ligas semicondutoras em microgravidade pela técnica de solidificação direcionada, a difusão de massa é o fenômeno que governa a homogeneidade composicional resultante'. A análise de crescimentos em condições especiais, tais como rnicrogravidade e campos eletromagnéticos externos, pode ser feita através da simulação numérica dos processos de transporte clássicos que ocorrem na mistura líquida. Os modelos composicionais mais simples e de uso mais comum, são descritos através de dois parâmetros, que representam os coeficientes efetivos de segregação e de difusão na fase liquida. Neste projeto, desenvolvemos modelos fisicos e numéricos, bem como uma interface gráfica simples, para a análise de perfis de composição em ligas macrocristalinas crescidas pelo método de Bridgman. As equações de transporte são aproximadas por um modelo médio unidimensional difusivo, e discretizadas pelas técnicas de diferenças finitas e volumes de controle 2 . A presença da interface liquido-sólido é modelada por um problema de fronteira móvel. Na hipótese de acoplamento térmico perfeito, a velocidade da interface é ditada pela variação da temperatura de fusão com a composição, de acordo com o diagrama de fase da liga; este efeito é tanto menor quanto mais lento for o deslocamento da ampola no interior do forno durante o crescimento 3.
ÁreaFISMAT
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agreement.html 06/08/2020 10:25 1.7 KiB 
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://mtc-m21c.sid.inpe.br/ibi/8JMKD3MGP3W34R/432GUTS
URL dos dados zipadoshttp://mtc-m21c.sid.inpe.br/zip/8JMKD3MGP3W34R/432GUTS
Idiomapt
Arquivo Alvo13646.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhourlib.net/www/2017/11.22.19.04.03
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPDW34P/478H9GH
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m16c/2022/07.08.19.55 2
DivulgaçãoBNDEPOSITOLEGAL
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2017/11.22.19.04
6. Notas
NotasBolsa PIBIC/INPE/CNPq
Campos Vaziosarchivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder copyright creatorhistory date descriptionlevel doi e-mailaddress edition electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup recipient reportnumber resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype translator url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
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