1. Identificação | |
Tipo de Referência | Relatório (Report) |
Site | mtc-m21c.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 8JMKD3MGP3W34R/432GUTS |
Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.06.13.25 |
Última Atualização | 2020:08.06.13.25.18 (UTC) simone |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21c/2020/08.06.13.25.18 |
Última Atualização dos Metadados | 2022:07.08.21.07.47 (UTC) administrator |
Chave de Citação | AraiFabb:1997:SiNuVi |
Título | Simulação numérica e visualização gráfica de crescimentos em macrocristais |
Ano | 1997 |
Data de Acesso | 18 maio 2024 |
Tipo | RPQ |
Número de Páginas | 14 |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 10817 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Arai, Nanci Naomi 2 Fabbri, Maurício |
Grupo | 1 2 LAS-CTE-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Universidade de Taubaté (UNITAU) 2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) |
Instituição | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais |
Cidade | São José dos Campos |
Histórico (UTC) | 2020-08-06 13:25:18 :: simone -> administrator :: 2022-07-08 21:07:47 :: administrator -> simone :: 1997 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Palavras-Chave | macrocristais |
Resumo | A obtenção de ligas semicondutoras de estrutura monocristalina em laboratório é um passo básico na obtenção de dispositivos optoeletrônicos. A faixa de sensibilidade desses dispositivos depende essencialmente da composição local e da distribuição composicional média da amostra utilizada na sua fabricação. Desse modo, amostras homogêneas permitem a utilização de substratos de maior área, ou a fabricação de mais dispositivos para cada monocristal obtido. Um dos processos de crescimento mais comum, no caso de semicondutores que envolvem ligas de chumbo ou mercúrio, é a solidificação direcionada. Nesta técnica, a mistura que forma a liga é solidificada lentamente, ao ser deslocada da região quente para a região fria no interior de um forno (método de Bridgman). Durante o crescimento, os efeitos de segregação são os responsáveis pela não homogeneidade em composição do cristal obtido. Estes efeitos são ditados, primordialmente, pelo diagrama de fase de equilíbrio da liga, e a composição final do cristal depende da interação entre as trocas de calor (condução, convecção e radiação), massa (difusão) e momento (convecção) durante o processo de crescimento. Em ambiente de microgravidade, os efeitos de convecção na fase líquida são bastante minimizados, e é então possível obter um regime de crescimento dominado pelos processos de condução e difusão. Ainda, em crescimentos lentos, em regime de quasi-equilíbrio, a amostra permanece essencialmente em equilibrio térmico com o forno. Dessa maneira, na quase totalidade dos crescimentos de ligas semicondutoras em microgravidade pela técnica de solidificação direcionada, a difusão de massa é o fenômeno que governa a homogeneidade composicional resultante'. A análise de crescimentos em condições especiais, tais como rnicrogravidade e campos eletromagnéticos externos, pode ser feita através da simulação numérica dos processos de transporte clássicos que ocorrem na mistura líquida. Os modelos composicionais mais simples e de uso mais comum, são descritos através de dois parâmetros, que representam os coeficientes efetivos de segregação e de difusão na fase liquida. Neste projeto, desenvolvemos modelos fisicos e numéricos, bem como uma interface gráfica simples, para a análise de perfis de composição em ligas macrocristalinas crescidas pelo método de Bridgman. As equações de transporte são aproximadas por um modelo médio unidimensional difusivo, e discretizadas pelas técnicas de diferenças finitas e volumes de controle 2 . A presença da interface liquido-sólido é modelada por um problema de fronteira móvel. Na hipótese de acoplamento térmico perfeito, a velocidade da interface é ditada pela variação da temperatura de fusão com a composição, de acordo com o diagrama de fase da liga; este efeito é tanto menor quanto mais lento for o deslocamento da ampola no interior do forno durante o crescimento 3. |
Área | FISMAT |
Arranjo 1 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Simulação numérica e... |
Arranjo 2 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Acervo PIBIC/PIBITI > PIBIC/PIBITI 1997 > Simulação numérica e... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | |
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4. Condições de acesso e uso | |
URL dos dados | http://mtc-m21c.sid.inpe.br/ibi/8JMKD3MGP3W34R/432GUTS |
URL dos dados zipados | http://mtc-m21c.sid.inpe.br/zip/8JMKD3MGP3W34R/432GUTS |
Idioma | pt |
Arquivo Alvo | 13646.pdf |
Grupo de Usuários | simone |
Visibilidade | shown |
Permissão de Leitura | allow from all |
Permissão de Atualização | não transferida |
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5. Fontes relacionadas | |
Repositório Espelho | urlib.net/www/2017/11.22.19.04.03 |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPDW34P/478H9GH |
Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/mtc-m16c/2022/07.08.19.55 2 |
Divulgação | BNDEPOSITOLEGAL |
Acervo Hospedeiro | urlib.net/www/2017/11.22.19.04 |
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6. Notas | |
Notas | Bolsa PIBIC/INPE/CNPq |
Campos Vazios | archivingpolicy archivist callnumber contenttype copyholder copyright creatorhistory date descriptionlevel doi e-mailaddress edition electronicmailaddress format isbn issn label lineage mark nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup recipient reportnumber resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype translator url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
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